MEMORIA RAM
DEFINICION
CICLO DE REFRESCO
Llamamos ciclo de refresco al
tiempo que necesita el procesador para acceder a todas las direcciones
de memoria para actualizar su contenido y no perderlo . Un ciclo de
refresco de memoria puede emplear varios ciclos del microprocesador.
TIEMPO DE ACCESO
demora
de CAS o latencia de CAS (CAS significa Señalizador de Direccionamiento
en Columna): es el número de ciclos de reloj que transcurre entre el
envío del comando de lectura y la llegada de la información. En otras
palabras, es el tiempo necesario para acceder a una columna.
Tiempo
de precarga de RAS (conocido como tRP; RAS significa Señalizador de
Direccionamiento en Fila): es el número de ciclos de reloj transcurridos
entre dos instrucciones de RAS, es decir, entre dos accesos a una fila.
demora
de RAS a CAS (a veces llamada tRCD): es el número de ciclos de reloj
correspondiente al tiempo de acceso de una fila a una columna.
tiempo
activo de RAS (a veces denominado tRAS): es el número de ciclos de
reloj correspondiente al tiempo de acceso a una columna.
BUFFER DE DATOS
buffer
es la cantidad de memoria que se usa temporalmente. En informática, un
buffer de datos es una ubicación de la memoria en una computadora o en
un instrumento digital reservada para el almacenamiento temporal de
información digital, mientras que está esperando ser procesada
MEMORIAS CON PARIDAD
consisten
en añadir a cualquiera de los tipos anteriores un chip que realiza una
operación con los datos cuando entran en el chip y otra cuando salen. Si
el resultado ha variado, se ha producido un error y los datos ya no son
fiables.
Dicho así, parece una ventaja; sin embargo, la computadora sólo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige. Es más, estos errores son tan improbables que la mayor parte de los chips no los sufren jamás aunque estén funcionando durante años; por ello, hace años que todas las memorias se fabrican sin paridad.ECC: memoria con corrección de errores. Puede ser de cualquier tipo, aunque sobre todo EDO-ECC o SDRAM-ECC. Detecta errores de datos y los corrige; para aplicaciones críticas. Usada en servidores y mainframes.
Dicho así, parece una ventaja; sin embargo, la computadora sólo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige. Es más, estos errores son tan improbables que la mayor parte de los chips no los sufren jamás aunque estén funcionando durante años; por ello, hace años que todas las memorias se fabrican sin paridad.ECC: memoria con corrección de errores. Puede ser de cualquier tipo, aunque sobre todo EDO-ECC o SDRAM-ECC. Detecta errores de datos y los corrige; para aplicaciones críticas. Usada en servidores y mainframes.
ESTRUCTURA FISICA
DRAM: aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos últimos de 30 contactos.
Fast Page (FPM): aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).
EDO:aparece como SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.
SDRAM: se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es usada en los Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron.
ALMACENAMIENTO DE INFORMACION
El propósito del almacenamiento es guardar datos que la computadora no esté usando. El almacenamiento tiene tres ventajas sobre la memoria:
1. Hay más espacio en almacenamiento que en memoria .
2. El almacenamiento retiene su contenido cuando se apaga el computador
3. El almacenamiento es más barato que la memoria.
El medio de almacenamiento más común es el disco magnético. El dispositivo que contiene al disco se llama unidad de disco (drive). La mayoría de lascomputadoras personales tienen un disco duro no removible. Además usualmente hay una o dos unidades de disco flexible , las cuales le permiten usardiscos flexibles removibles. El disco duro normalmente puede guardar muchos más datos que un disco flexible y por eso se usa disco duro como el archivero principal de la computadora. Los discos flexibles se usan para cargar programas nuevos , o datos al disco duro, intercambiar datos con otros usuarios o hacer una copia de respaldo de los datos que están en el disco duro
MODULOS DE MEMORIA
DIP:
DIP :Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.
SIPP:
SIPP:consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM,
con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un
total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las
ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporcionan 4 bits por módulo.
DIMM
DIMM :Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un
zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.
RIMM
RIMM: designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos años.
MODULOS DE RAM PARA PORTATILES
SO-RIMM:
es un chip de memoria basado en la Rambus tecnología, diseñado específicamente para computadoras portátiles y otros portátiles de ordenadores ha sido desarrollado. Los módulos son por lo tanto mucho más compacto que RIMM y tienen 160 contactos.
SO-DIMM:
Un SO-DIMM, o en un esquema pequeño en la línea de módulos de memoria dual, es un tipo de memoria de la computadora construida con circuitos integrados
MICRO-DIMM:
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